フラッシュメモリとウェアレベリングとは？ふらっしゅめもりとうぇありべりんぐ
フラッシュメモリは電気的に一括消去できる不揮発性メモリで、読み書きはページ単位、消去はそれより大きなブロック単位という非対称な構造を持つ。書換え回数に上限があるため、同じ場所への書込みが偏らないよう全体へ分散させる制御がウェアレベリングで、SSDのコントローラがこれを担う。
最終更新：2026-10-06
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この記憶素子は上書きができず、書き直すには一度まとまった単位を消す必要がある。素直に同じ番地を使い続ければ、その一角だけが先に摩耗して装置全体が使えなくなる。書き込む物理的な位置を装置側が勝手に散らす——という割り切りによって、素子の制約を利用者から隠しつつ寿命を伸ばしている。
具体例
論理的には同じ番地への上書きでも、コントローラは物理的には別の空きページへ書き、旧ページを無効の印にして後でまとめて消去する。この整理が追いつくよう予備領域を確保し、OSはTRIMコマンドで不要になったページを通知する。廃棄時はこの仕組みのせいで上書き消去が効かないため、Secure Eraseや暗号化消去を使う。
試験での引っ掛け
ウェアレベリングは寿命を延ばす制御であって、書換え回数の上限そのものを取り払うものではない。NAND型は大容量で逐次アクセス向き、NOR型はランダム読出しが速くプログラム格納向き、という使い分けも問われる。SSDは可動部が無く耐衝撃性とアクセス時間で有利だが、書換え寿命がある以上、HDDの完全な上位互換とは言えない。
関連用語
出た過去問
出典：平成29年度 秋期 ITサービスマネージャ試験 午前Ⅱ 問19（IPA）
MLC（Multi-Level Cell）フラッシュメモリの特徴として、適切なものはどれか。
正解：一つのメモリセルに2ビット以上のデータを記憶する。
要点：MLCは1セルに2ビット以上を記憶するフラッシュメモリ
MLCフラッシュメモリは、1個のメモリセルに複数段階のしきい値電圧を設けて2ビット以上を記憶する方式である。1セル1ビットのSLCに比べて同じ面積で大容量・低コストにできる一方、書換え可能回数や読み書き速度の面では劣る。電荷をセルのフローティングゲートに保持する不揮発性メモリである。
出典・参考
解説は資格暗記が独自に作成しています。過去問の出典は各問題に記載のとおりです。