次世代不揮発性メモリ（MRAM・ReRAM・相変化メモリ）とは？じせだいふきはつせいめもり
次世代不揮発性メモリとは、電源を切っても内容が残りながら、主記憶に近い速さとバイト単位の書換えを実現しようとするメモリの総称である。情報の保ち方で呼び名が分かれ、MRAMは磁化の向き、ReRAMは抵抗値、相変化メモリは結晶と非晶質の状態を使う。書換え耐性がフラッシュより桁違いに高く、寿命を理由にした計画交換が要らなくなる点が運用側の関心になる。
最終更新：2026-10-06
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いまの計算機は、速いが電源で消える主記憶と、消えないが遅い補助記憶に分かれており、この段差を埋めるために運用は多くの手間を払っている——電池付きキャッシュ、ログの先行書込み、電源断後の整合性チェック、再起動から業務再開までの長い待ち時間。速くて消えない記憶が実用になれば、段差を前提にした手順そのものが要らなくなる。そこを狙った技術群である。
具体例
産業機器や車載機器では、電源が突然落ちても直前の状態が残ることが求められ、MRAMがすでに採用されている。データセンタ側では主記憶と補助記憶の中間に置くストレージクラスメモリとして、再起動してから業務再開までの時間を縮める用途が検討されている。
試験での引っ掛け
不揮発だから障害対策が不要、にはならない。プロセッサのキャッシュに残ったまま電源が落ちたデータは失われるため、確定の順序を管理する仕組みは依然として要る。またコストはDRAM・NANDフラッシュに及ばず、全面置換ではなく用途を限った採用にとどまっている段階である。
関連用語
出典・参考
解説は資格暗記が独自に作成しています。過去問の出典は各問題に記載のとおりです。