次世代不揮発性メモリ（MRAM・ReRAM・相変化メモリ）とは？じせだいふきはつせいめもり
次世代不揮発性メモリ（MRAM・ReRAM・相変化メモリ）とは、電源を切っても消えないまま、DRAM並みの速さとバイト単位の書き換えを両立させようとする新方式のメモリ群。情報の保持に使う物理量が方式ごとに違い、MRAM（Magnetoresistive RAM）は磁化の向き、ReRAM（Resistive RAM）は電気抵抗、相変化メモリは材料が結晶かアモルファスかで区別する。
最終更新：2026-10-07
高度試験の午前Iを最短で暗記する →背景
いまの記憶階層は、速いが電源を切ると消えるDRAMと、消えないが遅く書き換え回数に限りのあるフラッシュに割れており、その断層をまたぐたびにOSはファイル入出力という重い手続きを挟む。両方の性質を1つの素子で満たせれば、主記憶と補助記憶の境界そのものが消える、というのが狙い。
具体例
インテルが3D XPointを使って出したOptaneは相変化系の実装で、主記憶と同じアドレス空間に置く「ストレージクラスメモリ」の実例になった。事業としては終息したが、電源が落ちても直前の状態が残る性質は産業機器のログ保存などで生きている。
試験での引っ掛け
「不揮発だから障害対策が不要」にはならない。書き込みがキャッシュに留まったまま電源が落ちれば内容は失われるため、どこまで書けたら確定とみなすかの取り決めが別に要る。またDRAM・NANDとの価格差は残っており、全面置換ではなく用途限定の段階にある。
関連用語
出典・参考
解説は資格暗記が独自に作成しています。過去問の出典は各問題に記載のとおりです。