主記憶と補助記憶(RAM・ROM・HDD・SSD)とは?しゅきおくとほじょきおく
主記憶はCPUが番地を指定して直接読み書きできる記憶で、電源を切ると内容が消える揮発性のDRAMが使われる。補助記憶は電源を切っても内容が残る不揮発性で、CPUから直接番地指定はできず入出力命令で塊単位に扱う。RAM・ROM・HDD・SSDは「揮発するか」「直接番地指定できるか」の2軸で整理できる。
最終更新:2026-10-07
この語が出る過去問を解く →背景
速い記憶素子ほど1ビットあたりの単価が高く、必要な容量をすべて最速の素子で用意することはできない。そこでレジスタ・キャッシュ・主記憶・補助記憶と段階を作り、よく使うデータほど上の段へ置く記憶階層が組まれた。主記憶と補助記憶の分担はこの階層の一部分にあたる。
具体例
DRAMはコンデンサの電荷で1ビットを保持するため、放置すると電荷が抜けて周期的な書き戻し(リフレッシュ)が要る。SRAMはフリップフロップで保持するのでリフレッシュが不要で速く、その代わり回路が大きく高価なためキャッシュに使われる。SSDの記憶素子はNAND型フラッシュメモリ。
試験での引っ掛け
DRAMとSRAMの取り違えが定番で、リフレッシュが必要で主記憶に使うのがDRAM、不要で高速・高価でキャッシュに使うのがSRAM(2016年秋 午前I 問7がこの区別を直接問うている)。またフラッシュメモリは分類上ROMの系統だが書き換えられるので、「ROMだから書き込めない」は現行製品には当てはまらない。
関連用語
出た過去問
出典:令和3年度 秋期 高度試験 午前Ⅰ 問6(IPA)解説で登場
ページング方式の仮想記憶において、ページ置換えの発生頻度が高くなり、システムの処理能力が急激に低下することがある。このような現象を何と呼ぶか。
正解:スラッシング
要点:ページ置換えの頻発で性能が急落する現象がスラッシング
実記憶が不足すると、ページイン・ページアウトが頻発して主記憶と補助記憶の入出力にCPU時間が費やされ、本来の処理がほとんど進まなくなる。この現象をスラッシングと呼ぶ。多重度を下げる、実記憶を増設するなどが対策となる。
出典・参考
解説は資格暗記が独自に作成しています。過去問の出典は各問題に記載のとおりです。