DRAMとは？でぃーらむ
DRAMとは、1ビットを1個のトランジスタとキャパシタで構成する揮発性メモリ。構造が単純なため高集積・低コストで大容量化しやすい一方、電荷が抜けるので定期的なリフレッシュが要り、その分だけ帯域と消費電力を持っていかれる。主記憶や画像バッファのように容量が要る用途に使われる。
最終更新：2026-10-06
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記憶素子を小さくするほど同じ面積に多くのビットを詰められるが、フリップフロップでは1ビットに素子が数個必要で限界がある。キャパシタ1個に電荷として蓄えるという割り切りが集積度を一気に引き上げ、その代償として保持のための定期動作と、複雑なアクセス制御を背負い込んだ。組込みで問われるのはこのトレードオフの側で、内蔵SRAMで足りるか外付けDRAMが要るかは、容量・消費電力・基板面積・起動時間をまとめて秤にかける判断になる。
具体例
電池駆動の機器ではLPDDR系を選び、待機時はセルフリフレッシュへ落として保持だけを続ける構成が採られる。リフレッシュ間隔は規定の保持時間を行数で割って求め、64ミリ秒・8192行なら約7.8マイクロ秒ごとに1行を処理する計算になる。
試験での引っ掛け
リフレッシュ間隔の計算は「規定時間÷行数」で、行数が多いほど1行あたりの間隔は短くなる。この向きを逆にする誤りが定番。またSRAMとの対比では、集積度・ビット単価・アクセス速度のすべてが逆向きになる点を一組で覚える。セルフリフレッシュは低消費電力モードであって不揮発化ではない。
関連用語
出た過去問
出典：平成31年度 春期 エンベデッドシステムスペシャリスト試験 午前Ⅱ 問12（IPA）
アドレス線が10本で、1Mワードの容量をもつDRAMがある。リフレッシュのためにDRAM内の全ROWアドレスを51.2ミリ秒の間に少なくとも1回は選択する必要が…
正解：50
要点：リフレッシュ周期は規定時間をROW数で割って求める
アドレス線が10本なので、ROWアドレスは2の10乗＝1,024通りある。この1,024行すべてを51.2ミリ秒以内に1回ずつ選択する必要があるので、1行当たりの平均間隔は51.2ミリ秒÷1,024である。51,200マイクロ秒÷1,024＝50マイクロ秒が平均リフレッシュ周期となる。
出典：令和7年度 秋期 エンベデッドシステムスペシャリスト試験 午前Ⅱ 問9（IPA）
SRAMと比較した場合のDRAMの特徴はどれか。
正解：メモリセル構成が単純なので、ビット当たりの単価が安くなる。
要点：DRAMは1トランジスタ＋容量の単純構造で安価
DRAMは1ビットを1個のトランジスタと1個のキャパシタという極めて単純な構造で実現するため、同じ面積により多くのビットを詰め込め、ビット単価が安くなる。その代わりキャパシタの電荷が漏れるので定期的なリフレッシュが必要で、アクセス速度もSRAMに劣る。この特性から主記憶に用いられる。
出典・参考
高度試験 午前I（高度午前I 相当）のシラバスの2 コンピュータシステム ＞ 2. メモリ ＞ (1) メモリの種類と特徴に掲載されている用語です。
解説は資格暗記が独自に作成しています。過去問の出典は各問題に記載のとおりです。