フラッシュメモリとウェアレベリングとは？ふらっしゅめもりとうぇありべりんぐ
フラッシュメモリは電源を切っても内容が消えない半導体メモリで、読み書きはページ単位、消去はページを束ねたブロック単位という非対称な単位で動く。同じ場所へ書き続けるとその領域だけ先に劣化するため、書込み先を物理的に散らして摩耗を平均化する制御がウェアレベリングである。
最終更新：2026-10-06
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消去がブロック単位でしか行えないという制約のため、そもそも同じ場所への上書きという操作が成立しない。コントローラは新しい内容を別の空きページへ書き、古いページに無効の印を付け、後から無効ページの多いブロックをまとめて消去して空きへ戻す。この後始末が書込みに追いつかないと、空きを作るための内部移動が発生して書込み性能が落ちる。ログが絶えず流れ込む用途では、予備領域の量と後始末の設計が寿命と性能の両方を左右する。
具体例
監視サーバや機器の内蔵ストレージでは、OSがTRIMコマンドで不要になった領域をコントローラへ知らせ、後始末をまとめて進められるようにする。同じファイルへ上書きしても物理的な書込み位置は移るため、以前の内容は別ページに残ったままになる。
試験での引っ掛け
ウェアレベリングは寿命を延ばす制御であって、書換え回数の上限そのものを無くすものではない。NAND型は大容量で逐次アクセス向き、NOR型はランダム読出しが速くプログラム格納向きという型の違いも取り違えやすい。書込み位置が移るぶん単純な上書きでは旧データが残るため、機器の廃棄・返却時は専用の消去手順が要る。
関連用語
出た過去問
出典：平成29年度 秋期 ネットワークスペシャリスト試験 午前Ⅱ 問22（IPA）
MLC（Multi-Level Cell）フラッシュメモリの特徴として、適切なものはどれか。
正解：一つのメモリセルに2ビット以上のデータを記憶する。
要点：MLCは1セルに2ビット以上を記憶する方式
MLCは、1つのメモリセルに蓄える電荷量を多段階に分けることで、2ビット以上の情報を記憶する方式である。1セル1ビットのSLCに比べて容量当たりの単価が安い一方、書換え可能回数が少なく、読み書きの速度や信頼性でも劣る。
出典・参考
高度試験 午前I（高度午前I 相当）のシラバスの2 コンピュータシステム ＞ 2. メモリ ＞ (1) メモリの種類と特徴に掲載されている用語です。
解説は資格暗記が独自に作成しています。過去問の出典は各問題に記載のとおりです。