次世代不揮発性メモリ（MRAM・ReRAM・相変化メモリ）とは？じせだいふきはつせいめもり
次世代不揮発性メモリ（MRAM・ReRAM・相変化メモリ）とは、電源を切っても消えない性質を保ったまま、DRAMに近い速度とバイト単位の書き換えを実現しようとしている記憶素子の総称。情報を保つ物理量が方式ごとに違い、MRAMは磁化の向き、ReRAMは素子の電気抵抗、相変化メモリは材料が結晶かアモルファスかで表す。書き換えられる回数もフラッシュより桁違いに多い。
最終更新：2026-10-06
ネットワークSPを最短で暗記・合格する →背景
主記憶は速いが電源断で消え、補助記憶は残るが桁違いに遅い、という段差が長く前提だった。この段差があるために、システムは「消えては困るものを、いつどこへ書き出すか」を設計し続けてきた。両方の性質を1つの素子で満たせれば、その前提自体が崩れる。機器の側でも、瞬断からの復帰にかかる時間や、電源が落ちる瞬間にログが欠ける問題の解き方が変わってくる。
具体例
産業用のスイッチや無停電電源を置きにくい小規模拠点の機器では、電源が落ちる直前までのログと統計が残るかどうかが障害解析を左右する。バイト単位で即座に確定するメモリなら、書き込みを溜めずに反映できる。将来的には主記憶と補助記憶の境が消えるストレージクラスメモリとして、ファイル入出力を経ずメモリ空間へ直接置く設計が検討されている。
試験での引っ掛け
不揮発だからといって「障害対策が不要」にはならない。CPUのキャッシュに残ったまま電源が落ちた分は失われるため、どこまで確定したかを保証する手続きは依然として要る。また価格と容量の面ではまだDRAMやNANDに及ばず、全面的な置き換えではなく用途を絞った採用が進んでいる段階である。
関連用語
出典・参考
解説は資格暗記が独自に作成しています。過去問の出典は各問題に記載のとおりです。