FeRAMの説明として、適切なものはどれか。

エンベデッドシステムスペシャリスト試験／2025年度秋期午前Ⅱ 問3／メモリ / 半導体メモリ

選択肢

ア1ビットのメモリセルは4個〜6個のトランジスタで構成される。
イデータ保持のためにリフレッシュが必要である。
ウバイト単位で書換えができず、ブロック単位で一括して書き換える。
エフラッシュメモリよりも書換え可能回数が多く、書換え速度も高速にできる。

正解と解説

正解：エフラッシュメモリよりも書換え可能回数が多く、書換え速度も高速にできる。

FeRAMは強誘電体の分極の向きでデータを保持する不揮発性メモリで、書換え可能回数がフラッシュメモリよりも桁違いに多く、書込みも高速である。バイト単位で上書きでき、消去してから書くという手順も不要なため、頻繁に更新されるログやパラメータの保存に向く。ただし大容量化とビット単価の面ではフラッシュに及ばない。

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選択肢ごとの解説

ア1セルを複数のトランジスタで構成するのはSRAMの説明である。
イリフレッシュが必要なのはDRAMであり、FeRAMは不揮発で保持動作を要しない。
ウブロック単位でしか書き換えられないのはフラッシュメモリの制約である。
エ正しい。フラッシュメモリより書換え可能回数が多く、書換えも高速である。

出典：令和7年度秋期エンベデッドシステムスペシャリスト試験午前Ⅱ 問3（IPA）原本の紙面を見る（IPA 問題冊子より）

この問題に出た用語

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出典・参考

最終更新：2026-10-06／解説・選択肢ごとの解説は資格暗記が独自に作成しています。問題文と選択肢の出典は上記のとおりです。