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ROM・RAMとは?ロム・ラム

ROMは不揮発性の読出し専用メモリ、RAMは揮発性の随時読み書き可能メモリで、両者はさらに実装方式で細分される。RAMはDRAMとSRAMに分かれ、DRAMはコンデンサに電荷を蓄えるため一定間隔のリフレッシュが必要で、1ビットあたりの素子数が少なく大容量・低コストになるので主記憶に使われる。SRAMはフリップフロップで保持するためリフレッシュ不要で高速だが高価であり、キャッシュメモリに使われる。ROM側はマスクROM、PROM、EPROMと展開し、電気的に消去・書換えができるEEPROMのうちブロック単位で一括消去する方式がフラッシュメモリで、SSDやUSBメモリの実体はこれにあたる。書換え可能な不揮発性メモリの登場で「ROM=書き換えられない」は実装上は崩れており、試験では役割と揮発性で切り分ける。

最終更新:2026-10-06

試験情報

応用情報技術者試験の過去問では4回出題されています(2016年度〜2022年度)。

応用情報技術者試験の頻出用語/テクノロジ系

別名:Read Only Memory、Random Access Memory、ROM

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背景

メモリは速度・容量単価・揮発性を同時に満たせない。フリップフロップで保持すれば速いが素子数が増えて高価になり、コンデンサで蓄えれば安く大容量にできる代わりにリフレッシュが要る。この制約から、少量で速いSRAMをキャッシュに、大容量で安いDRAMを主記憶に、電源を切っても残る不揮発メモリを外部記憶にと、性質ごとに階層へ配置する設計が生まれた。EEPROMからフラッシュメモリへの流れは、消去単位をブロックにまとめて回路を単純化することで大容量化と低価格化を取りにいった結果であり、その代償が書換え回数の上限である。

具体例

キオクシアが製造するNAND型フラッシュメモリはSSDの記憶素子として使われ、電源を切ってもデータが残る一方、書換え回数に上限がある。だからSSDのコントローラは書込みを特定の領域に偏らせないウェアレベリングを行い、頻繁に書き換わる作業データは主記憶のDRAM側で処理する、という役割分担になる。

試験での引っ掛け

DRAMとSRAMの取り違えが本丸で、リフレッシュが必要なのはDRAM、キャッシュに使うのはSRAMである。「Sはstatic(放っておいても保持する)」で結び付ける。フラッシュメモリはROMの系譜だが電気的に書換えでき、その代わり書換え回数に上限があるという二点を同時に覚える。またDRAMのリフレッシュは揮発性を補うための動作であって、電源を切れば消えることに変わりはない。記述式では「なぜキャッシュにSRAM、主記憶にDRAMを使うのか」を、速度と容量単価のトレードオフで言い切る。

関連用語

出た過去問

解説は資格暗記が独自に作成しています。過去問の出典は各問題に記載のとおりです。

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試験での特徴
  • 試験では4回出題(2016年度〜2022年度)
  • 分野:テクノロジ系
  • DRAMとSRAMの取り違えが本丸で、リフレッシュが必要なのはDRAM、キャッシュに使うのはSRAMである。