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フラッシュメモリとは?ふらっしゅめもり

フラッシュメモリとは、電気的に一括消去と書換えができる不揮発性メモリ。ブロック単位で消去してからページ単位で書き込む構造のため、読出しに比べ書込みが遅く、書換え回数にも上限がある。1セルに1ビットのSLCと多ビットのMLC・TLCがあり、多値ほど大容量だが寿命は短い。

最終更新:2026-10-07

試験情報

高度試験・午前I(全区分共通)の過去問では1回出題されています。

高度試験・午前I(全区分共通)の頻出用語/午前I(全区分共通)

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具体例

SSD、USBメモリ、スマートフォンの内蔵ストレージに使われる。書換えの偏りで一部のブロックだけが先に寿命を迎えることを防ぐため、コントローラがウェアレベリングを行って書込み先の物理ブロックを分散させている。

試験での引っ掛け

既に書かれたページへそのまま上書きはできず、消去処理を伴う点を見落としやすい。またEEPROMはバイト単位で消去できるのに対し、フラッシュメモリは消去がブロック単位である点が両者の違いになる。

関連用語

出た過去問

解説は資格暗記が独自に作成しています。過去問の出典は各問題に記載のとおりです。

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試験での特徴
  • 試験では1回出題
  • 分野:午前I(全区分共通)
  • 既に書かれたページへそのまま上書きはできず、消去処理を伴う点を見落としやすい。