次世代不揮発性メモリ（MRAM・ReRAM・相変化メモリ）とは？

次世代不揮発性メモリ（MRAM・ReRAM・相変化メモリ）の意味

DRAM並みの速度と、フラッシュ並みの不揮発性を両立しようとする新方式のメモリ群。MRAMは磁化の向き、ReRAMは電気抵抗の変化、相変化メモリは材料の結晶状態で情報を保持する。いずれもバイト単位で書き換えられ、書き換え耐性がフラッシュより桁違いに高い。

次世代不揮発性メモリ（MRAM・ReRAM・相変化メモリ）の具体例

電源断でも直前の状態が残るため、産業機器のログ保存や、電源復帰後に即座に処理を再開する用途に向く。将来的に主記憶と補助記憶の境界が消える「ストレージクラスメモリ」として、OSのファイル入出力を経由せず直接メモリ空間に置く設計が検討されている。

次世代不揮発性メモリ（MRAM・ReRAM・相変化メモリ）は試験でどう引っ掛けられる？

不揮発性メモリを主記憶に使うと、キャッシュに残ったまま電源が落ちたデータの扱いが問題になるため、「不揮発だから障害対策が不要」にはならない。またコスト面ではまだDRAM・NANDに及ばず、全面置換ではなく用途限定で普及が進んでいる段階。

次世代不揮発性メモリ（MRAM・ReRAM・相変化メモリ）と関連する用語

• フラッシュメモリとウェアレベリング
• DRAMとSRAM
• 階層型ストレージ管理（HSM）

次世代不揮発性メモリ（MRAM・ReRAM・相変化メモリ）が出た過去問

• 相変化メモリの説明として，適切なものはどれか。

  正解：結晶状態と非結晶状態の違いを利用して情報を記憶する不揮発性メモリ

  要点：相変化メモリは結晶・非結晶の抵抗差で記憶する不揮発性メモリ。

  相変化メモリ（PRAM／PCM）は、カルコゲナイド系材料が結晶状態と非結晶（アモルファス）状態とで電気抵抗が大きく異なる性質を利用して情報を記憶する。電源を切っても状態が保たれる不揮発性メモリであり、書換え可能でリフレッシュも不要である。書換え可能な光ディスクと同じ相変化の原理を電気抵抗の読取りに応用したものである。

  出典：平成30年度 秋期 応用情報技術者試験 午前 問10（IPA）